| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 14.0V (max) |
| 封装 | WDFN-8 |
| 上升/下降时间 | 15 ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 针脚数 | 8 Position |
| 静态电流 | 200 µA |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 下降时间(Max) | 15 ns |
| 上升时间(Max) | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 8V ~ 14V |
| 电源电压(Max) | 14 V |
| 电源电压(Min) | 8 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 0.8 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments
TI（德州仪器）
19 页 / 0.44 MByte
TI（德州仪器）
27 页 / 1.02 MByte
National Semiconductor（美国国家半导体）
100V / 1A峰值半桥栅极驱动器 100V / 1A Peak Half Bridge Gate Driver
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5109BSD/NOPB 驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 32ns延迟, WSON-8
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5109ASD/NOPB 驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, WSON-8
TI（德州仪器）
MOSFET 和 IGBT 半桥栅极驱动器，Texas Instruments### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5109AMA/NOPB 驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, SOIC-8
TI（德州仪器）
具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器 8-WSON -40 to 125
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5109BMA 双路驱动器, MOSFET, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 27ns延迟, SOIC-8
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