LM5111-1MX 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:	TI（德州仪器）
分类:	FET驱动器
封装:	SOIC-8
描述:	LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
PDF文件:	LM5111-1MX 数据手册 (24 页)引脚图在3 页Hot 封装尺寸在18 页 20 页 21 页典型应用电路图在11 页 12 页原理图在9 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

LM5111-1MX 数据手册 (24 页)

查看文档

或点击图片查看大图

LM5111-1MX 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	SOIC-8
上升/下降时间	14ns, 12ns
输出接口数	2 Output
静态电流	1.00 mA
下降时间(Max)	25 ns
上升时间(Max)	25 ns
电源电压	3.5V ~ 14V

查看数据手册 >

LM5111-1MX 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-40℃ ~ 125℃ (TJ)

查看数据手册 >

LM5111-1MX 符合标准

LM5111-1MX 数据手册

TI（德州仪器）

24 页 / 0.93 MByte

LM5111-1MX 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.28 MByte

LM51111 数据手册

LM5111-1M/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments

LM5111-1MY/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM5111-1MY/NOPB 双功率驱动器, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, MSOP-8

LM5111-1MX/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver

LM5111-1MYX/NOPB 数据手册

TI（德州仪器）

LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver

LM5111-1M 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS LM5111-1M 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 3.5V-14V电源, 5A输出, 25ns延迟, SOIC-8