| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 3.50V (min) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 上升/下降时间 | 14ns, 12ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电流 | 5 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 下降时间(Max) | 25 ns |
| 上升时间(Max) | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 3.5V ~ 14V |
| 电源电压(Max) | 14 V |
| 电源电压(Min) | 3.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 3 mm |
| 高度 | 0.86 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
●Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。
TI（德州仪器）
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MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
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LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
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MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments
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LM5111双通道5A复合门驱动器 LM5111 Dual 5A Compound Gate Driver
National Semiconductor（美国国家半导体）
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