| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 12 Pin |
| 电源电压 | 4.50V (min) |
| 封装 | WFBGA-12 |
| 上升/下降时间 | 7ns, 1.5ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 针脚数 | 12 Position |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 下降时间(Max) | 4 ns |
| 上升时间(Max) | 4 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 4.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
TI（德州仪器）
21 页 / 2.32 MByte
TI（德州仪器）
增强模式 GaN FET 的 5A、100V 半桥接闸极驱动器
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5113SD/NOPB MOSFET驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10 新
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5113SDE/NOPB 驱动器, MOSFET, 半桥, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, WSON-10
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5113TME/NOPB 半桥驱动器, 4.5V-5.5V电源, 5A输出, 26.5ns延迟, DSBGA-12
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS LM5113LLPEVB/NOPB 评估模块, LM5113LLPEVB/NOPB, 100V半桥加强模式Gan FET驱动器
TI（德州仪器）
LM5113 5A ， 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
TI（德州仪器）
LM5113 5A ， 100V半桥栅极驱动器的增强型GaN FET的 LM5113 5A, 100V Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
TI（德州仪器）
门驱动器 Automotive, 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs 10-WSON -40 to 125
National Semiconductor（美国国家半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
