| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | T-1 |
| 额定功率 | 5.00 mW |
| 正向电压 | 1.3 V |
| 波长 | 940 nm |
| 视角 | 40° |
| 正向电流 | 50 mA |
| 正向电流(Max) | 50 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -25℃ ~ 85℃ (TA) |
Panasonic（松下）
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Panasonic（松下）
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Panasonic（松下）
砷化镓红外发光二极管 GaAs Infrared Light Emitting Diode
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