LND150N3-G 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:	Microchip（微芯）
分类:	MOS管
封装:	TO-226-3
描述:	Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗低输入电容切换速度快低接通电阻无次级击穿低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关固态继电器转换器线性放大器恒定电流源电源电路电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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LND150N3-G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-226-3
额定功率	0.74 W
针脚数	3 Position
漏源极电阻	850 Ω
极性	N-Channel
功耗	740 mW
漏源极电压(Vds)	500 V
连续漏极电流(Ids)	0.03A
上升时间	450 ns
输入电容值(Ciss)	7.5pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	740 mW
下降时间	1300 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	740 mW

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LND150N3-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Bag
长度	5.2 mm
宽度	0.165 in
高度	0.21 in
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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LND150N3-G 符合标准

LND150N3-G 海关信息

LND150N3-G 概述

LND150N3-G 数据手册

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7 页 / 0.58 MByte

LND150N3-G 其他数据使用手册

Microchip（微芯）

3 页 / 0.12 MByte

LND150N3-G 产品修订记录

Microchip（微芯）

3 页 / 0.49 MByte

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Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗低输入电容切换速度快低接通电阻无次级击穿低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关固态继电器转换器线性放大器恒定电流源电源电路电信 ### MOSFET 晶体管，Microchip

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