类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-92-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 1 kΩ |
功耗 | 740 mW |
漏源击穿电压 | 500 V |
上升时间 | 450 ns |
下降时间 | 450 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
类型 | 描述 |
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长度 | 5.21 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
Microchip(微芯)
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Microchip(微芯)
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。### 特点高输入阻抗 低输入电容 切换速度快 低接通电阻 无次级击穿 低输入和输出泄漏 ### 典型应用常开开关 固态继电器 转换器 线性放大器 恒定电流源 电源电路 电信 ### MOSFET 晶体管,Microchip
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