| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 额定功率 | 1.6 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 850 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.03A |
| 上升时间 | 450 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7.5pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.6 W |
| 下降时间 | 1300 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管
●Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
●### 特点
●高输入阻抗
●低输入电容
●切换速度快
●低接通电阻
●无次级击穿
●低输入和输出泄漏
●### 典型应用
●常开开关
●固态继电器
●转换器
●线性放大器
●恒定电流源
●电源电路
●电信
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MICROCHIP LND150N8-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
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