| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 50.0 MHz |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | SOIC-16 |
| 针脚数 | 16 Position |
| 时钟频率 | 50 MHz |
| 位数 | 8 Bit |
| 存取时间 | 1.4 ms |
| 内存容量 | 2000000 B |
| 存取时间(Max) | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
M25P16-VMF6P是一款16MB (2MB x 8)串行闪存嵌入式设备, 带有先进的写入保护机制, 可通过高速SPI兼容总线进行访问. 该器件支持高达75MHz时钟频率的高性能指令. 存储器可以使用PAGE PROGRAM指令, 每次可编程1至256字节. 它组织成32个扇区, 每个扇区包含256页. 每页256字节宽. 存储器可以被视为8192页或2097152字节. 整个存储器可以使用BULK ERASE指令清除, 也可以使用SECTOR ERASE指令清除单个扇区.
● SPI总线兼容串行接口
● Page编程可达256字节, 0.64ms (典型值)
● 擦除功能
● 写入保护
● 1µA (典型值)深度关断
● 电子签名
● 每扇区超过100,000次写周期
● 数据保留超过20年
Micron（镁光）
55 页 / 0.58 MByte
Micron（镁光）
57 页 / 1.17 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
512 Kb到32兆位，低电压，串行闪存采用40 MHz或50 MHz的SPI总线接口 512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
Micron（镁光）
MICRON M25P16-VMF6P 闪存, 16 Mbit, 2M x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, SOIC, 16 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位，低电压，串行闪存，具有50 MHz SPI总线接口 16 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50 MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位，低电压，串行闪存，具有50 MHz SPI总线接口 16 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface
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