| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 75.0 MHz |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | VDFN-8 |
| 供电电流 | 12 mA |
| 针脚数 | 8 Position |
| 时钟频率 | 50 MHz |
| 位数 | 8 Bit |
| 内存容量 | 4000000 B |
| 存取时间(Max) | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
M25P32-VME6G是一款32MB (4Mb x 8位)NOR串行闪存嵌入式存储器件, 8引脚VFDFPN封装. 该器件具有先进的写入保护机制, 可通过高速SPI兼容总线进行访问. 它支持高达75MHz时钟频率的高性能命令. 存储器可以使用PAGE PROGRAM指令, 每次可编程1至256字节. 该存储器被组织为64个扇区, 每个扇区256页, 每页为256个字节. 存储器可以被视为16384页或4194304byte. 整个存储器可以使用BULK ERASE指令清除, 也可以使用SECTOR ERASE指令清除单个扇区.
● 运行电压范围: 2.7V至3.6V
● 页编程 (最多256字节), 0.64ms
● 0.6s扇区清除512KB
● VPP = 9V时, 23s与17s批量擦除
● 硬件写入保护
● 深度关断1µA
● 电子签名
● 每扇区超过100000次写周期
● 数据保留超过20年
● 环境温度范围: -40°C至85°C
Micron（镁光）
50 页 / 0.65 MByte
Micron（镁光）
53 页 / 1.08 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位，低电压，串行闪存的50MHz SPI总线接口 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
512 Kb到32兆位，低电压，串行闪存采用40 MHz或50 MHz的SPI总线接口 512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
Micron（镁光）
MICRON M25P32-VME6G 闪存, 或非, 32 Mbit, 4M x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, VDFPN, 8 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位，低电压，串行闪存的50MHz SPI总线接口 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位，低电压，串行闪存的50MHz SPI总线接口 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位，低电压，串行闪存的50MHz SPI总线接口 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface
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