| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | WSOIC-8 |
| 供电电流 | 15 mA |
| 针脚数 | 8 Position |
| 时钟频率 | 75 MHz |
| 位数 | 8 Bit |
| 内存容量 | 1000000 B |
| 存取时间(Max) | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
M25P80-VMW6G是一款8MB (1Mb x 8)串行闪存嵌入式存储器件, 8引脚NSOIC封装. 该器件具有先进的写入保护机制, 可通过高速SPI兼容总线进行访问. 该器件支持高达75MHz时钟频率的高性能命令. 存储器可以使用PAGE PROGRAM指令, 每次可编程1至256字节. 该存储器被组织为16个扇区, 每个扇区256页, 每页为256个字节. 存储器可以被视为4096页或1,048,576 byte. 整个存储器可以使用BULK ERASE指令清除, 也可以使用SECTOR ERASE指令清除单个扇区.
● 单电源电压范围: 2.7V至3.6V
● 页编程 (最多256字节), 0.64ms
● 0.6s扇区清除512KB
● 批量擦除8MB, 8s
● 硬件写入保护, 保护区大小由非易失性位BP0, BP1, BP2定义
● 深度关断1µA
● JEDEC标准2字节签名 (2014h)
● 每个扇区超过100000次写入, 数据保存超过20年
● 工作温度范围为-40°C至+ 85°C
Micron（镁光）
52 页 / 0.65 MByte
Micron（镁光）
52 页 / 0.66 MByte
Micron（镁光）
35 页 / 0.22 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
Micron（镁光）
MICRON M25P80-VMW6G 闪存, 低电压, 8 Mbit, 1M x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, WSOIC, 8 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface
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