| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TSOP-48 |
| 时钟频率 | 70.0 GHz |
| 存取时间 | 70.0 ns |
| 内存容量 | 32000000 B |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
ST Microelectronics（意法半导体）
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Micron（镁光）
MICRON M29DW323DB70N6E 闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
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