| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | TFBGA-48 |
| 供电电流 | 10 mA |
| 针脚数 | 48 Position |
| 存取时间 | 70 ns |
| 内存容量 | 4000000 B |
| 存取时间(Max) | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb（4M x 8，2M x 16） 并联 70 ns 48-TFBGA（6x8）
Micron（镁光）
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Micron（镁光）
51 页 / 1.26 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
Micron（镁光）
MICRON M29DW323DT70ZE6E 闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ，双银8:24 ，引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
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