| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 电源电压 | 3.30 V, 3.60 V (max) |
| 封装 | TFBGA-48 |
| 时钟频率 | 70.0 GHz |
| 存取时间 | 70.0 ns |
| 内存容量 | 16000000 B |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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Micron（镁光）
MICRON M29W160EB70N6E 闪存, 引导块, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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