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M29W160ET70N6E
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M29W160ET70N6E 数据手册 (40 页)
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M29W160ET70N6E 技术参数、封装参数

M29W160ET70N6E 外形尺寸、物理参数、其它

M29W160ET70N6E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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M29W160ET70N6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
Micron(镁光)
MICRON  M29W160ET70N6E  闪存, 引导块, 非, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
Micron(镁光)
ST Microelectronics(意法半导体)
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics(意法半导体)
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics(意法半导体)
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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