| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 封装 | TSOP-48 |
| 供电电流 | 10 mA |
| 针脚数 | 48 Position |
| 位数 | 8, 16 Bit |
| 存取时间 | 70 ns |
| 内存容量 | 2000000 B |
| 存取时间(Max) | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
Micron（镁光）
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Micron（镁光）
71 页 / 1.36 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
Micron（镁光）
MICRON M29W160ET70N6E 闪存, 引导块, 非, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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