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M29W400DB70ZE6E
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M29W400DB70ZE6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
封装:TFBGA
描述:4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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M29W400DB70ZE6E 技术参数、封装参数

类型描述
封装TFBGA
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M29W400DB70ZE6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
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M29W400DB70ZE6E 数据手册

M29W400DB70ZE6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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M29W400DB70ZE6 数据手册

M29W400DB70ZE6 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4兆位（ 512 KB ×8或256 KB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB70ZE6E 数据手册
Micron（镁光）
NOR闪存 M29W400DB70ZE6E BGA48
M29W400DB70ZE6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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Micron（镁光）
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Micron（镁光）
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