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M29W800DB45N6E
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M29W800DB45N6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:Flash芯片
封装:TSOP-48
描述:8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块） 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
PDF文件:M29W800DB45N6E 数据手册 (43 页)封装尺寸在26 页27 页28 页29 页
典型应用电路图在5 页10 页
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焊盘图
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M29W800DB45N6E 数据手册 (43 页)
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M29W800DB45N6E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TSOP-48
工作温度(Max)85 ℃
工作温度(Min)40 ℃
电源电压(Max)3.6 V
电源电压(Min)3 V
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M29W800DB45N6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tray
工作温度40℃ ~ 85℃
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M29W800DB45N6E 数据手册

M29W800DB45N6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块） 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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