| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 48 Pin |
| 封装 | TSOP-48 |
| 位数 | 8, 16 Bit |
| 存取时间(Max) | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
Micron（镁光）
41 页 / 0.63 MByte
Micron（镁光）
82 页 / 1.15 MByte
Micron（镁光）
MICRON M29W800DB70N6E 闪存, 引导块, 非, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
Micron（镁光）
NOR闪存 M29W800DB70ZE6F TFBGA-48
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块） 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块） 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块） 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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