M68AF127BM70B6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
封装:	DIP
描述:	为1Mbit 128K ×8 ， 5V异步SRAM 1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM
PDF文件:	M68AF127BM70B6 数据手册 (23 页)
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M68AF127BM70B6 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	DIP

类型	描述
产品生命周期	Unknown

ST Microelectronics（意法半导体）

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ST Microelectronics（意法半导体）

为1Mbit 128K ×8 ， 5V异步SRAM 1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM

ST Microelectronics（意法半导体）

静态随机存取存储器静态随机存取存储器 128 K X8 BIT 5V PDIP 32

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为1Mbit 128K ×8 ， 5V异步SRAM 1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM

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