反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 100mA/0.1A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 550mV/0.55V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes (SBD) • MA3X786 • Silicon epitaxial planar type • For super-high speed switching circuit • For small current rectification • Allowing to rectify under (IF(AV) = 100 mA) condition • Optimum for high-frequency rectification because of its short reverse recovery time (trr) • Low VF (forward rise voltage), with high rectification efficiency 描述与应用| •肖特基势垒二极管(SBD) •MA3X786 •硅外延平面型 •超高速开关电路 •小电流整流 •最佳高频整流,因为其反向恢复时间短(TRR) •低VF(正向电压上升),整流效率高
Panasonic(松下)
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