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MBR12020CT
来自 AiPCBA

MBR12020CT 数据手册 - GeneSiC Semiconductor

制造商:GeneSiC Semiconductor
分类:功率二极管
封装:Twin Tower
PDF文件:MBR12020CT 数据手册 (2 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
MBR12020CT 数据手册 (2 页)
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MBR12020CT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装Twin Tower
正向电压650mV @120A
正向电流60 A
最大正向浪涌电流800 A
正向电压(Max)650 mV
正向电流(Max)120000 mA
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)40 ℃
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MBR12020CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度40℃ ~ 175℃
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MBR12020CT 数据手册

MBR12020CT 数据手册
GeneSiC Semiconductor
2 页 / 0.49 MByte
MBR12020CT 其他数据使用手册
GeneSiC Semiconductor
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