| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263 |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 9.14 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MBRB20100CTT4G 肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 20 A, TO-263, 3 引脚, 950 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MBRB20100CTG 肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 10 A, TO-263, 3 引脚, 950 mV
Micro Commercial Components（美微科）
MBRB20100 系列 100 V 20 A 肖特基势垒整流器 表面贴装 - D2PAK-3
Littelfuse（力特）
肖特基整流器, 100 V, 20 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 800 mV
Diodes（美台）
二极管阵列-1-对共阴极-肖特基-100V-10A-表面贴装型-TO-263-3-D²Pak（2-引线-+-接片）-TO-263AB
VISHAY（威世）
双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor（威世）
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
双共阴极高压肖特基整流器 Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
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