| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 150 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 200MA/0.2A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 300MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~300 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.15W 描述与应用 Description & Applications | 双NPN晶体管 技术文档PDF下载 | 在线阅读
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MBT3904DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363
ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
ON Semiconductor（安森美）
双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363
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