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MBT3906DW1T2G
来自 AiPCBA

MBT3906DW1T2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-363-6
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual PNP Bipolar Transistor
PDF文件:MBT3906DW1T2G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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MBT3906DW1T2G 数据手册 (6 页)
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MBT3906DW1T2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率250 MHz
引脚数6 Pin
封装SOT-363-6
无卤素状态Halogen Free
极性PNP
功耗0.15 W
击穿电压(集电极-发射极)40 V
集电极最大允许电流0.2A
最小电流放大倍数100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数300
额定功率(Max)150 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
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MBT3906DW1T2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MBT3906DW1T2G 数据手册

MBT3906DW1T2G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.12 MByte
MBT3906DW1T2G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.12 MByte
MBT3906DW1T2G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.12 MByte

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