| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 封装 | PDIP-16 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50.0 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 19.55 mm |
| 宽度 | 6.85 mm |
| 高度 | 3.43 mm |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
高电压，大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G 晶体管阵列
ON Semiconductor（安森美）
NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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ON SEMICONDUCTOR MC1413BDG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 2 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MC1413BPG 晶体管阵列
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MC1413DG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
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外围驱动器阵列 PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
ON Semiconductor（安森美）
高电压，大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
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