类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 16 Pin |
电源电压 | 30.0 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | PDIP-16 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 1000 |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -20 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 19.55 mm |
宽度 | 6.85 mm |
高度 | 3.43 mm |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G 晶体管阵列
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NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413PG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413BDG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 2 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413BPG 晶体管阵列
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MC1413DG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor(安森美)
外围驱动器阵列 PERIPHERAL DRIVER ARRAYS
ON Semiconductor(安森美)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
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