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MC33178DR2 数据手册 (10 页)
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MC33178DR2 技术参数、封装参数

MC33178DR2 外形尺寸、物理参数、其它

MC33178DR2 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
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MC33178 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
Multicomp
MULTICOMP  MC33178  自恢复保险丝, 径向引线, 0.9A
UTC(友顺)
双电源供电、高转换速率、高增益、高输出、低失真
ON Semiconductor(安森美)
MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术,用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力,同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压:0.15 mV(平均值) 低总谐波畸变:0.0024%(@ 1 kHz、600 W 负载时) 高增益带宽:5 MHz 高转换速率:2 V/μs 双电源操作:±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
MC 系列 2 V/us 36 V 表面贴装 低功耗 低噪声 运算放大器 - MICRO-8
ON Semiconductor(安森美)
低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
ON Semiconductor(安森美)
低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
ON Semiconductor(安森美)
低功耗,低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational Amplifiers
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