MC33179DTBR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	运算放大器
封装:	TSSOP-14
描述:	MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器，ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术，用于高质量音频和数据信号处理应用。它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。它们还提供高输出电流驱动能力，同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力大输出电压摆幅低偏置电压：0.15 mV（平均值）低总谐波畸变：0.0024%（@ 1 kHz、600 W 负载时）高增益带宽：5 MHz 高转换速率：2 V/μs 双电源操作：±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器，ON Semiconductor
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MC33179DTBR2G 数据手册 (19 页)

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MC33179DTBR2G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	14 Pin
电源电压	4.00V (min)
封装	TSSOP-14
无卤素状态	Halogen Free
供电电流	1.7 mA
电路数	4 Circuit
针脚数	14 Position
共模抑制比	80 dB
带宽	5 MHz
转换速率	2.00 V/μs
增益频宽积	5 MHz
输入补偿电压	1.5 mV
输入偏置电流	100 nA
工作温度(Max)	85 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
增益带宽	5 MHz
共模抑制比(Min)	80 dB

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MC33179DTBR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5.1 mm
宽度	4.5 mm
高度	1.05 mm
工作温度	-40℃ ~ 85℃

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MC33179DTBR2G 符合标准

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MC33179DTBR2G 概述

MC33179DTBR2G 数据手册

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MC33179DTBR2G 其他数据使用手册

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MC33179DTBR2G 产品设计图

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MC33179DTBR2G 开发手册

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MC33179DTBR2 数据手册

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MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器，ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术，用于高质量音频和数据信号处理应用。它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。它们还提供高输出电流驱动能力，同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力大输出电压摆幅低偏置电压：0.15 mV（平均值）低总谐波畸变：0.0024%（@ 1 kHz、600 W 负载时）高增益带宽：5 MHz 高转换速率：2 V/μs 双电源操作：±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器，ON Semiconductor

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