类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23-3 |
漏源极电阻 | 145 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 0.42 W |
阈值电压 | 2.4 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.6A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
最小包装数量 | 3000 |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N03LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
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