类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 750 mA |
封装 | SOT-23-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.1 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 730 mW |
阈值电压 | 1.7 V |
输入电容 | 140pF @5V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.10 A, 1.60 mA |
上升时间 | 1 ns |
输入电容值(Ciss) | 140pF @5V(Vds) |
额定功率(Max) | 420 mW |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 420mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.04 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N03LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
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