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MIXA150Q1200VA 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
IGBT晶体管
封装:
V1-A-Pack
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
MIXA150Q1200VA 数据手册
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MIXA150Q1200VA 数据手册 (6 页)
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MIXA150Q1200VA 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
V1-A-Pack
功耗
695 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
695 W
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
MIXA150Q1200VA 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
MIXA150Q1200VA 符合标准
MIXA150Q1200VA 概述
IGBT 模块 PT 单路 1200 V 220 A 695 W 底座安装 V1A-PAK
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MIXA150Q1200VA 数据手册
MIXA150Q1200VA
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IXYS Semiconductor
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