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MIXA80WB1200TEH
来自 AiPCBA

MIXA80WB1200TEH 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:E3
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
MIXA80WB1200TEH 数据手册 (9 页)
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MIXA80WB1200TEH 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数24 Pin
封装E3
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)390 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)390000 mW

MIXA80WB1200TEH 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度-40℃ ~ 125℃ (TJ)

MIXA80WB1200TEH 数据手册

MIXA80WB1200TEH 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
9 页 / 0.54 MByte

MIXA80WB1200 数据手册

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