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MJ15011G
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MJ15011G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-204-2
描述:互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
PDF文件:MJ15011G 数据手册 (4 页)封装尺寸在3 页
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MJ15011G 数据手册 (4 页)
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MJ15011G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)250 V
额定电流10.0 A
封装TO-204-2
额定功率200 W
极性N-Channel, NPN
功耗200 W
集电极击穿电压250 V
击穿电压(集电极-发射极)250 V
集电极最大允许电流10A
最小电流放大倍数20 @2A, 2V
额定功率(Max)200 W
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)200000 mW
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MJ15011G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tray
材质Silicon
长度39.37 mm
宽度26.67 mm
高度8.51 mm
工作温度-65℃ ~ 200℃ (TJ)
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MJ15011G 数据手册

MJ15011G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.06 MByte
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