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MJB45H11T4G
来自 AiPCBA

MJB45H11T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-263-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11T4G  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 40 hFE
PDF文件:MJB45H11T4G 数据手册 (6 页)封装尺寸在5 页
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MJB45H11T4G 数据手册 (6 页)
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MJB45H11T4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率40 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-80.0 V
额定电流-10.0 A
封装TO-263-3
针脚数3 Position
极性N-Channel, P-Channel
功耗50 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流10A
最小电流放大倍数40 @4A, 1V
额定功率(Max)2 W
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
工作结温-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)2000 mW
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MJB45H11T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度10.29 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJB45H11T4G 数据手册

MJB45H11T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.06 MByte
MJB45H11T4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.7 MByte
MJB45H11T4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.1 MByte
MJB45H11T4G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.1 MByte

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