类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 2.00 A |
封装 | TO-251-3 |
无卤素状态 | Halogen Free |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 20 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
最小电流放大倍数 | 1000 @2A, 3V |
最大电流放大倍数 | 12000 |
额定功率(Max) | 1.75 W |
直流电流增益(hFE) | 12000 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
增益带宽 | 25MHz (Min) |
耗散功率(Max) | 20 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 2.38 mm |
高度 | 6.35 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管,On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
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ON SEMICONDUCTOR MJD112-1G 晶体管, NPN
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