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MJD112G
来自 AiPCBA

MJD112G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-252-3
描述:NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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焊盘图
引脚图
产品图
MJD112G 数据手册 (10 页)
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MJD112G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流2.00 A
封装TO-252-3
无卤素状态Halogen Free
输出电压100 V
针脚数3 Position
极性NPN
功耗1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)100 V
热阻71.4℃/W (RθJA)
集电极最大允许电流2A
最小电流放大倍数1000
最大电流放大倍数12000
额定功率(Max)1.75 W
直流电流增益(hFE)12000
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
增益带宽25MHz (Min)
耗散功率(Max)20 W
输入电压5 V
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MJD112G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJD112G 数据手册

MJD112G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.14 MByte
MJD112G 其他数据使用手册
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11 页 / 0.15 MByte
MJD112G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.08 MByte
MJD112G 开发手册
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13 页 / 0.34 MByte

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