| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 2.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 20 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @2A, 3V |
| 额定功率(Max) | 20 W |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 增益带宽 | 25MHz (Min) |
| 耗散功率(Max) | 20000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 100V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 25MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 500~2000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 2V~3V 耗散功率PcPower Dissipation| Description & Applications| Complementary power Darlington transistors Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode 描述与应用| Complementary power Darlington transistors HFE线性度好 ■高FT 频率 ■单片达林顿配置 综合反平行集电极 - 发射极二极管
ST Microelectronics（意法半导体）
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互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ON Semiconductor（安森美）
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount Applications
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
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