| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 2.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 20 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @2A, 3V |
| 最大电流放大倍数 | 12000 |
| 额定功率(Max) | 1.75 W |
| 直流电流增益(hFE) | 12 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 增益带宽 | 25MHz (Min) |
| 耗散功率(Max) | 1750 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.38 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJD112T4 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJD112T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK
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