| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -2.00 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 1750 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 @2A, 3V |
| 额定功率(Max) | 1.75 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 增益带宽 | 25MHz (Min) |
| 耗散功率(Max) | 1750 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Rail |
| 高度 | 6.35 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 25MHz 通孔 I-PAK
ON Semiconductor（安森美）
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