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MJD122
来自 AiPCBA

MJD122 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:晶体管
封装:TO-252-3
描述:互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor
PDF文件:MJD122 数据手册 (8 页)封装尺寸在8 页
原理图在7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
MJD122 数据手册 (8 页)
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MJD122 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)100 V
额定电流8.00 A
封装TO-252-3
极性NPN
功耗20 W
击穿电压(集电极-发射极)100 V
集电极最大允许电流8A
最小电流放大倍数1000
最大电流放大倍数12000
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
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MJD122 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
最小包装数量2500
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MJD122 数据手册

MJD122 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.08 MByte
MJD122 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.2 MByte
MJD122 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.08 MByte
MJD122 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.34 MByte
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