类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 8.00 A |
封装 | TO-252-3 |
无卤素状态 | Halogen Free |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 20 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
集电极最大允许电流 | 8A |
最小电流放大倍数 | 1000 @4A, 4V |
最大电流放大倍数 | 12000 |
额定功率(Max) | 1.75 W |
直流电流增益(hFE) | 1000 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
增益带宽 | 4MHz (Min) |
耗散功率(Max) | 1750 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.38 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管,On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
ON Semiconductor(安森美)
互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD122T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK, 整卷
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件