类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 25.0 V |
额定电流 | 5.00 A |
封装 | TO-252-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 12.5 W |
增益频宽积 | 65 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
集电极最大允许电流 | 5A |
最小电流放大倍数 | 70 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 65 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.38 mm |
ON Semiconductor(安森美)
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ON SEMICONDUCTOR MJD200T4G 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE
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