| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 65 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -25.0 V |
| 额定电流 | -5.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 1.4 W |
| 增益频宽积 | 65 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
| 热阻 | 10℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 5A |
| 最小电流放大倍数 | 45 @2A, 1V |
| 额定功率(Max) | 1.4 W |
| 直流电流增益(hFE) | 3 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.38 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 25 V 5 A 65MHz 1.4 W 表面贴装型 DPAK
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ON SEMICONDUCTOR MJD210G 单晶体管 双极, PNP, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 3 hFE
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ON SEMICONDUCTOR MJD210RLG 双极性晶体管, PNP, -25V D-PAK
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