类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 2 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -10.0 A |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 1.75 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 10A |
最小电流放大倍数 | 20 @4A, 4V |
额定功率(Max) | 1.75 W |
直流电流增益(hFE) | 5 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1750 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.38 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor
●### 标准
●带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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ST Microelectronics(意法半导体)
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新
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