| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 最小电流放大倍数 | 10 @3A, 4V |
| 额定功率(Max) | 1.56 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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STMICROELECTRONICS MJD31CT4 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFE
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ON SEMICONDUCTOR MJD31C1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
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