类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 3 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 3.00 A |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 15 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
集电极最大允许电流 | 3A |
最小电流放大倍数 | 10 @3A, 4V |
额定功率(Max) | 1.56 W |
直流电流增益(hFE) | 10 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 1560 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
通用放大器低速切换应用程序 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
ON Semiconductor(安森美)
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD31CRLG 双极性晶体管, NPN, 100V D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD31CG 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
MJD31C 系列 NPN 100 V 3A 表面贴装 低电压 功率晶体管 - TO-252
ON Semiconductor(安森美)
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS MJD31CT4 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD31C1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
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