MJD31T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	TO-252-3
描述:	NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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MJD31T4G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
频率	3 MHz
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	40.0 V
额定电流	3.00 A
封装	TO-252-3
针脚数	3 Position
极性	NPN, PNP
功耗	15 W
击穿电压(集电极-发射极)	40 V
集电极最大允许电流	3A
最小电流放大倍数	10 @3A, 4V
额定功率(Max)	1.56 W
直流电流增益(hFE)	10
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
耗散功率(Max)	1560 mW

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MJD31T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.38 mm
工作温度	-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD31T4G 符合标准

MJD31T4G 海关信息

MJD31T4G 概述

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MJD31T4G 其他数据使用手册

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MJD31T4G 开发手册

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NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

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