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MJD350
来自 AiPCBA

MJD350 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:晶体管
封装:TO-252-3
描述:高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors
PDF文件:MJD350 数据手册 (5 页)原理图在1 页
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焊盘图
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MJD350 数据手册 (5 页)
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MJD350 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-300 V
额定电流-500 mA
封装TO-252-3
极性PNP
功耗1.56 W
击穿电压(集电极-发射极)300 V
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数30
最大电流放大倍数240
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1560 mW
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MJD350 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
材质Silicon
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度1.5 mm
最小包装数量2500
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MJD350 数据手册

MJD350 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.06 MByte
MJD350 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.11 MByte
MJD350 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.13 MByte
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