| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -300 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 1.56 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 热阻 | 8.33℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 30 @50mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1.56 W |
| 直流电流增益(hFE) | 240 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1560 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 高度 | 2.38 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild（飞兆/仙童）
高电压功率晶体管D- PAK表面贴装应用 High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount Applications
ON Semiconductor（安森美）
高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJD350T4G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJD350T4 单晶体管 双极, PNP, 300 V, 15 W, -500 mA, 30 hFE
Diodes（美台）
晶体管-双极-BJT-单-PNP-300V-500mA-15W-表面贴装型-TO-252-2
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor MJD350TF , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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